集成MOSFET的高精度锂离子/聚合物电池保护芯片-SC5510DDFER

集成MOSFET的高精度锂离子/聚合物电池保护芯片-SC5510DDFER

介绍

SC5510D是一种高度集成的单电芯锂离子电池保护芯片。控制内部集成的MOSFET并提供电池保护功能，包括电池过压保护及电池欠压保护，充放电过流保护和负载短路保护等。SC5510D只需要很少的外部器件包括一个电容和一个电阻，可以有效地减少空间和成本，特别是有限的空间的电池应用。SC5510D特别集成了在不同温度和电池电压补偿内部MOSFET Rdson，有效保证高精度电压/电流检测及延时电路，避免电池过充/过放。因此，电池是应用在安全内的并且使用寿命得到了有效延长。SC5510D的待机电流较低以便于电池长时间存储。集成的低rdson MOSFET确保电池可以提供较大能量。

功能

●  单节锂离子/聚合物电池保护芯片

●  ，易于设计，只需要一个电容和电阻

●  精确的延时电路

●  充电过压保护及释放

●  放电过压保护及释放

●  充电过流保护

●  放电过流保护

●  负载短路保护

●  支持0V电池充电功能

●  电池反充保护

●  集成**低Rdson MOSFET (9 mΩ，VM-GND)

●  低工作电流和关机电流(5uA/0.4uA)

●  热关断

●  采用2mm * 2mm DFN封装

应用

●  移动电源

●  单节锂电池

●  可穿戴设备